シリコン結晶の新しい製造法

薄膜化によってシリコンの使用量を削減するだけでなく、シリコン結晶をＬＳＩ用途に比べてずっと安価に製造する方法も検討されています。

アネルバは、図に示すような多結晶シリコン薄膜製造方法を開発しました。

シランガスがスタートとなるのはプラズマＣＶＤ法と同じですが、アモルファスシリコン膜を作るためのプラズマも、それを結晶化するためのレーザーも用いません。

従来はそれらの均一なコントロールが難しく、生産性向上のネックになっていたのです。

具体的な方法は、シランガスと水素ガスとを、比率や圧力を調整しながら混合し、これを加熱した触媒体に吹き付けて分解し、結晶性のよい多結晶シリコンを直接成膜させるというものです。

この方式だとプラズマを用いないので高温状態にする必要がないし、イオン衝撃による損傷も少なくてすみます。

また広い面積にレーザーを照射する必要もなくなり、全体としてコスト低減が期待できます。

一方ＪＦＥスチールは２００６年７月、金属シリコンから独自の冶金法でＳＯＧ（Solar grade）シリコンを作り、そこから多結晶インゴットを作る技術を開発したと発表しました。

これにより従来と同等の高い変換効率を得ることも確認しています。

ポリシリコンを経由する従来の手法に比べ、設備投資もランニングコストも抑えることが可能となります。